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用于先进射频应用的基于氮化镓的器件(原载于《微波杂志》23年5/6月号) 每日看点


(相关资料图)

1. Hao Yu, et al., “Leakage Mechanism in IonImplantation Isolated AlGaN/GaN Heterostructures,” Journal ofApplied Physics 131, 035701, 2022, Web:https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/5.0076243.

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